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Si和Mo基片上气相生长金刚石薄膜的界面状态研究
被引：7
作者：
毛友德
杨国伟
机构：
[1] 合肥工业大学应用物理系
[2] 合肥工业大学应用物理系 合肥
[3] 合肥
来源：
关键词：
金刚石薄膜;
热丝CVD;
界面层;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
<正> 在低压气相生长金刚石薄膜中,金刚石薄膜与基片间的界面状态是一个十分重要的问题,它不仅与金刚石在异质基片上的成核、生长机理有密切关系,而且在很大程度上决定着金刚石薄膜与基片的粘附性能.近几年来,人们首先较多地研究了单晶Si基片生长金刚石薄膜中的界面状态,认为在金刚石薄膜与Si基片之间存在着一个界面层或过渡层,其主要成分是β-SiC.但也有人认为不存在界面层,金刚石是在Si表面直接生长的.其它基片上生长金刚石薄膜的界面状态也曾见报道.
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页数：4
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