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次黄嘌呤在铜电极上的伏安特性研究
被引：1
作者：
胡胜水
张新萍
王政萍
机构：
[1] 武汉大学化学学院
来源：
关键词：
次黄嘌呤，溶出伏安法，伏安特性，铜电极;
D O I：
10.14188/j.1671-8836.1998.06.006
中图分类号：
O657.14 [极谱分析];
学科分类号：
070302 ;
081704 ;
摘要：
研究了次黄嘌呤（Ｈｘａ）在铜电极上的电化学行为．实验发现，以１．９６×１０－３～４×１０－４ｍｏｌ·Ｌ－１ＮａＯＨ作支持电解质时，在－０．２５～－０．４０Ｖ的电位范围内有一灵敏的阴极峰，它是吸附于铜电极表面的Ｈｘａ与Ｃｕ＋络合物的溶出伏安峰．在选择的实验条件下，峰高与Ｈｘａ的浓度在１．４６×１０－６～２×１０－３ｍｏｌ·Ｌ－１范围内呈良好的线性关系，最低检测限为５．６×１０－８ｍｏｌ·Ｌ－１，可用于痕量的Ｈｘａ的检测．
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