非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心

被引:50
作者
林碧霞
傅竹西
贾云波
廖桂红
机构
[1] 中国科学技术大学结构分析开放实验室!合肥
[2] 中国科学技术大学物理系
[3] 合肥
[4] 中国科学技术大学物理系!合肥
基金
安徽省自然科学基金;
关键词
ZnO薄膜; 热处理; 光致发光光谱; 缺陷能级;
D O I
暂无
中图分类号
O484.41 [];
学科分类号
0803 ;
摘要
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化 ,同时比较了用FP LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置 .根据实验和能级计算的结果 ,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关 ,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷 (OZn)能级的跃迁 ,而不是通常认为的氧空位 (VO)、锌填隙 (Zni)或锌空位 (VZn)、氧填隙 (Oi) .
引用
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页码:2208 / 2211
页数:4
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