GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性

被引：3

作者：

王鑫华

王建辉

庞磊

陈晓娟

袁婷婷

罗卫军

刘新宇

机构：

[1] 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室

来源：

物理学报 | 2012年 / 61卷 / 17期

关键词：

SiN; MIM电容; 缺陷; 平均失效前时间;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN43 [半导体集成电路（固体电路）];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估,研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间.通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理,研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移;缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低.SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据.

引用

页码：476 / 481

页数：6

共 13 条

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