Th-TTA络合吸附伏安法测定痕量钍的研究

本文对吸附伏安法直接测定水体中痕量钍作了研究。在HAc-NaAc介质中钍离子(Th4+)和噻吩甲酰三氟丙酮（HTTA）形成较稳定的三元络合物,先吸附富集在悬汞电极上,后采用阴极溶出伏安法检测痕量钍。控制电位为-0.1伏（VS.SCE）吸附富集3分钟,然后阴极扫描至-1.0伏（VS.SCE）,在-0.60伏（VS.SCE）电位处获得一个高灵敏度的还原电流峰。钍离子浓度在2.0×10-9mol·1-1～1.0×10-7mol·1-1范围内,溶出峰高和钍离子浓度呈良好的线性关系,最低检测限达1.0×10-9mol·1-1,在含5.0×10-8mol·l-1钍离子的体系中,连续测定七次相对标准偏差为2.51%。同时我们还对该体系的吸附溶出机理和测定条件作了探讨,并利用该法对工业排放废水中的痕量钍进行了测定,其结果良好。