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GaN外延层中的缺陷研究
被引：4
作者：
康俊勇
黄启圣
小川智哉
机构：
[1] 厦门大学物理系
[2] 学习院大学理学部
来源：
关键词：
阴极射线致发光;
电子束效应;
衬度;
GaN;
发光带;
表面形貌;
光强度分布;
外延层;
杂质缺陷;
发光强度;
光强;
原子序数;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.8 [层介质膜];
学科分类号：
摘要：
采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的ＧａＮ外延层中黄色发光带的强度分布．结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响．测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子序数衬度和Ｘ射线波谱发现，黄色发光带的强度在含有Ｏ和Ｃ等杂质缺陷附近较强．高分辨透射电子显微镜观察表明，杂质缺陷区的晶格结构不同于ＧａＮ基质，以及位错和裂缝等由应力引起的缺陷．认为此类缺陷可能是生长过程中，杂质在结晶小丘合并处的Ｖ形凹角中的沉积所产生
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页码：191 / 199
页数：9
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