光折变晶体Bi12SiO20的生长与性能

被引：1

作者：

潘守夔

马健

刘伟

朱洪滨

李萍

机构：

[1] 中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所上海,,上海,,上海,,上海,,上海,

来源：

关键词：

晶体生长; 光折变晶体; Bi12SiO20晶体; 退火; 衍射效率;

D O I：

10.16553/j.cnki.issn1000-985x.1993.03.005

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文介绍了用感应加热引上法生长 Bi12SiO20（BSO）晶体必须要解决的几个工艺问题,并提出了调整原料的组成可以改进 BSO 晶体的衍射效率。

引用

页码：240 / 244

页数：5