室旁核在刺激中脑防御反应区诱发防御性升压反应中的作用

雄性SD大鼠，用乌拉坦（700mg／kg）和氯醛糖（30mg／kg）腹腔麻醉。实验结果：（1）每隔5min电刺激中脑导水管周围灰质背侧部“防御反应区”（dPAG），持续观察50min，可见恒定的升压反应。若电解损毁单侧室旁核（PVN）区。1h后，电刺激中脑dPAG区诱发的升压反应幅度部分减小。而损毁穹隆部、下丘脑前部、下丘脑背内侧核、下丘脑腹内侧核则无上述效应。（2）电刺激或微量注射高半胱胺酸（DLH）（0．1mol／0．2μl）于PVN区引起的升压反应均可被双侧头端延髓腹外侧区（rVLM）微量注射血管升压素（AVP）的V1受体桔抗剂d（CH2）5[Tyr（Me）2AVP]（每侧0．1nmol／0．1μl）部分阻断。若单独运用AVP的V1受体桔抗剂或DLH则对基础动脉平均压（AMP）和心率（HR）无影响。（3）在双侧rVLM区注入AVP的V1受体拮抗剂可部分阻断电刺激中脑dPAG区诱发的升压反应。结果表明，刺激中脑dPAG诱发的升压反应，部分是通过PVN释放的AVP，激活rVLM区的V1受体而实现。