高频电容器充电电源绝缘栅双极晶体管吸收电路

被引：9

作者：

邢达 ^{[1
,2
]}

高迎慧 ^{[1
]}

严萍 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国科学院电工研究所

[2] 中国科学院研究生院

来源：

强激光与粒子束 | 2011年 / 23卷 / 01期

关键词：

电容器充电电源; 吸收电路; 尖峰电压; 绝缘栅双极晶体管; 逆变器; 高频电源;

D O I：

暂无

中图分类号：

TM53 [电容器]; TN322.8 [];

学科分类号：

080508 [光电信息材料与器件];

摘要：

高频化是提升电源功率密度的有效方法。为了保护高频电容器充电电源中的开关器件,以串联谐振式电容器充电电源为基础,研究了绝缘栅双极晶体管(IGBT)尖峰电压的产生机理及影响因素。介绍了几种抑制尖峰电压的方法,着重分析了IGBT吸收电路的基本原理,并进行了参数设计。结合仿真软件,对吸收电路的参数进行了优化,将仿真结果和40 kW,50 kHz电容器充电电源样机的实验结果进行对比,验证了提出方案的可行性。

引用

页码：239 / 243

页数：5

共 15 条

[1]

IGBT高频开关电源的故障分析及处理 [J].