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石墨层间化合物在插层过程中阶的转变模式
被引：5
作者：
徐仲榆，苏玉长
机构：
[1] 湖南大学新型炭材料研究所
来源：
关键词：
GIC插层，阶的转变模式;
D O I：
10.14078/j.cnki.1001-3741.1999.01.001
中图分类号：
O613.71 [碳C];
学科分类号：
070301 ;
081704 ;
摘要：
应用原位ＸＲＤ（Ｘ射线衍射）法，研究了石墨层间化合物（ＣＩＣ）在插层过程中阶次的转变模式。结果表明：不同的插层体系和插层条件产生不同的成核和扩散情况，从而导致在插层过程中试样的不同阶次转变模式。
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