CIS/CdS薄膜太阳电池工艺探讨

被引:4
作者
李长健
王俊清
孙云
舒保健
杜兆峰
机构
[1] 南开大学光电子所
关键词
固态源硒化;衬底温度;蒸发速率;膨胀系数;
D O I
暂无
中图分类号
TM914.42 [];
学科分类号
080502 ;
摘要
本文介绍了用固态源硒化法制备CIS太阳电池的工艺和技术关键.对如何提高CIS膜的附着性和降低表面粗糙度提出了一些看法和改进措施,并对各环节中造成电池串联电阻过大的因素进行了讨论.
引用
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[1]  
半导体器件制造工艺常用数据手册[M]. 电子工业出版社 , 刘秀喜, 1992