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CIS/CdS薄膜太阳电池工艺探讨
被引:4
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
李长健
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王俊清
孙云
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
南开大学光电子所
孙云
论文数:
引用数:
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机构:
舒保健
论文数:
引用数:
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机构:
杜兆峰
机构
:
[1]
南开大学光电子所
来源
:
南开大学学报(自然科学版)
|
1998年
/ 04期
关键词
:
固态源硒化;衬底温度;蒸发速率;膨胀系数;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TM914.42 [];
学科分类号
:
080502 ;
摘要
:
本文介绍了用固态源硒化法制备CIS太阳电池的工艺和技术关键.对如何提高CIS膜的附着性和降低表面粗糙度提出了一些看法和改进措施,并对各环节中造成电池串联电阻过大的因素进行了讨论.
引用
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[1]
半导体器件制造工艺常用数据手册[M]. 电子工业出版社 , 刘秀喜, 1992
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