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硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途
被引：5
作者：
王迅
侯晓远
郝平海
机构：
[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
[2] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海
[3] 上海
来源：
关键词：
多孔硅;
光电器件;
光电子集成;
发光效率;
全硅;
光电元件;
电子管;
光致发光谱;
半导体材料;
电工材料;
量子线;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
由于Ｓｉ是一种禁带宽度只有１．１ｅＶ的间接带隙材料，其发光效率极低，因此长期以来Ｓｉ被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料．但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象，对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击，一股多孔硅的研究热潮也正在兴起．本文将结合作者在多孔硅方面的工作，对多孔硅光致发光现象的研究背景、现状和潜在的应用作了较详细的介绍．
引用
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页码：341 / 343
页数：3
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