a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜

被引：7

作者：

吴萍

姚若河

林璇英

余楚迎

机构：

[1] 汕头大学物理学系!汕头

来源：

汕头大学学报(自然科学版) | 1999年 / 01期

基金：

广东省自然科学基金;

关键词：

固相晶化法（SPC）; 平均晶粒尺寸; 多晶硅;

D O I：

暂无

中图分类号：

TB43 [薄膜技术];

学科分类号：

0805 ;

摘要：

用等离子体化学气相沉积（PCVD）法制备：a－Si：N薄膜材料（衬底温度20O℃～350℃），用固相晶化法（SPC）获得多晶硅薄膜（退火温度500℃～650℃）,用X射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件，随着沉积温度的降低需要较高的退火温度,用SEM观测形貌测得平均晶粒大小为1,0～1,5μm

引用

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