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金属氧化物半导体气敏机理探析
被引:22
作者
:
田敬民
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安理工大学自动化与信息工程学院
田敬民
李守智
论文数:
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引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安理工大学自动化与信息工程学院
李守智
机构
:
[1]
西安理工大学自动化与信息工程学院
[2]
西安理工大学自动化与信息工程学院 陕西西安
[3]
陕西西安
来源
:
西安理工大学学报
|
2002年
/ 02期
关键词
:
气敏传感器;
金属氧化物半导体;
晶粒势垒;
D O I
:
10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2002.02.008
中图分类号
:
TN304.92 [];
学科分类号
:
0805 ;
080501 ;
080502 ;
080903 ;
摘要
:
讨论了金属氧化物半导体表面的气 -气、气 -固反应及其相应的电子过程 ,建立了分析气敏作用机理的理论模型 ,并提出了改进传感器性能的指导性意见。
引用
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页码:144 / 147
页数:4
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Fabraction and preliminary tests on tin dioxide-based gas sensors. Coles G S V, Gallagher K J, Watson J. Sensors and Actuators . 1985
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