金属氧化物半导体气敏机理探析

被引:22
作者
田敬民
李守智
机构
[1] 西安理工大学自动化与信息工程学院
[2] 西安理工大学自动化与信息工程学院 陕西西安
[3] 陕西西安
关键词
气敏传感器; 金属氧化物半导体; 晶粒势垒;
D O I
10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2002.02.008
中图分类号
TN304.92 [];
学科分类号
0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;
摘要
讨论了金属氧化物半导体表面的气 -气、气 -固反应及其相应的电子过程 ,建立了分析气敏作用机理的理论模型 ,并提出了改进传感器性能的指导性意见。
引用
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共 1 条
[1]  
Fabraction and preliminary tests on tin dioxide-based gas sensors. Coles G S V, Gallagher K J, Watson J. Sensors and Actuators . 1985