脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜的研究

被引：6

作者：

杨平雄

郑立荣

林成鲁

机构：

[1] 中国科学院上海冶金研究所

[2] 信息功能材料国家重点实验室!上海

来源：

科学通报 | 1997年 / 02期

关键词：

SBT; 脉冲激光沉积; 铁电薄膜;

D O I：

暂无

中图分类号：

O484.1 [薄膜的生长、结构和外延];

学科分类号：

080501 ; 1406 ;

摘要：

<正>铁电薄膜存储器（FRAM）由于具有动态随机存储器（DRAM）快速读写功能和可擦写唯读存储器（EPROM）非挥发性,又具有抗辐照、功耗低等特性,已成为国际上固态器件研究的一个热点。铁电存储器常用的铁电材料是Pb（ZrTi）O3（PZT）等氧化物钙钛矿结构材料。由于这些铁电材料抗疲劳性能较差,阻碍了铁电存储器的商品化进程。de Araujo等人报道了铋系层状类钙钛矿结构的铁电薄膜具有抗疲劳特性,用这类铁电材料制作的铁电存储器,在1012次重复开关极化后,仍没有显示疲劳现象,并且具有很好的信息储存寿命和较低的漏电流。

引用

页码：220 / 222

页数：3

共 4 条

[1]

Preparation of Y-Ba-Cu oxide superconductor thin film using PLD from high T_e bulk material. Dijkkamp D,Venkatesan T,Wu X D,et al. Applied Physics Letters . 1987

[2]

Fatigue-free ferroelectric capacitors. de Araujo C A P,Cuchiare J D,McMillan L D,et al. Nature . 1995

[3]

Influence of the RTA on structural and interracial properties of the PZT prepared by the PLD. Zheng L R,Chen Y Q,Lin C L,et al. Chinese Physics Letter . 1994

[4]

Ferroelectric memories. Scott J F,de Araujo C A P. Science . 1989

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