老化试验条件下的IGBT失效机理分析

被引：174

作者：

赖伟 ^{[1
]}

陈民铀 ^{[1
]}

冉立 ^{[1
]}

王学梅 ^{[2
]}

徐盛友 ^{[1
]}

机构：

[1] 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)

[2] 华南理工大学电力学院

来源：

中国电机工程学报 | 2015年 / 35卷 / 20期

基金：

中央高校基本科研业务费专项资金资助;

关键词：

IGBT老化; 失效机理; 功率循环; 结温计算; 热阻监测;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN322.8 [];

学科分类号：

摘要：

IGBT模块失效机理是变流器可靠性状态监测的基础,通过分析模块老化失效机理,得到饱和压降Uce补偿模型和结温Tj计算模型,建立IGBT模块功率循环实验平台,验证模块失效的物理过程和机理,得到IGBT模块在老化过程中电气和热参数的变化趋势,并建立热阻的退化模型,分析不同工作条件下对模块老化的影响。试验结果表明,模块在交变温度下焊接层失效是模块的主要失效方式,失效过程中其特征参数热阻满足参数退化模型,结温差越大模块越容易发生失效。通过IGBT模块的老化实验分析器件的老化机理,为变流器的状态监测和运行可靠性评估奠定一定基础,也为功率器件的可靠性设计提供决策支持。

引用

页码：5293 / 5300

页数：8