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锑化铟磁阻传感器特性测量及应用研究
被引：7
作者：
吴扬
娄捷
陆申龙
机构：
[1] 复旦大学物理系
[2] 复旦大学物理系 上海
[3] 物理系级理科基地班学生
[4] 上海
来源：
关键词：
磁电阻效应;
锑化铟磁阻器件;
倍频;
D O I：
10.19655/j.cnki.1005-4642.2001.10.017
中图分类号：
TP212 [发送器（变换器）、传感器];
学科分类号：
080202 ;
摘要：
介绍了不同实验条件下 ,锑化铟磁阻器件电阻与所加直流磁感应强度的关系 ,并对其曲线进行了拟合与讨论 .通过施加低频交流磁场的方法 ,得到了磁阻器件在小于 0 .0 6 T弱磁场范围内对电磁信号的倍频效应
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