多孔硅微腔的窄峰发射

被引：3

作者：

熊祖洪

廖良生

袁帅

丁训民

蒋最敏

胡东枝

秦捷

裴成文

侯晓远

机构：

[1] 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海

[2] 复旦大学应用表面物理国家

来源：

科学通报 | 1998年 / 24期

关键词：

多孔硅; 多层结构; 激射; MBE; 电化学腐蚀; 电化腐蚀; 腐蚀条件; 掺杂浓度;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472.3 [];

学科分类号：

070205 ; 080501 ; 0809 ; 080903 ;

摘要：

<正>自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性,我们采用MBE生长了掺杂浓度交替变化的

引用

页码：2669 / 2670

页数：2

共 5 条

[1]

Physics device application of optical microcavities. Yokoyama H. Science . 1992

[2]

Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical diaselution of wafers. Canham L T. Applied Physics Letters . 1990

[3]

Controlled photon emission in porous silicon microcavities. Pavesi L,Mazzoleni C,Tredicucci A,et al. Applied Physics Letters . 1995

[4]

Pulse anodic etching:An effective method of preparing light-emitting porous silicon. Hou X Y,Fan H L,Xu L,et al. Applied Physics Letters . 1996

[5]

Porous silicon:from luminescence to LEDs. Cllins R T,Fauchet P M,Tischler M A. Physics Today . 1997

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