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一种低功耗、高稳定性的无片外电容线性稳压器
被引:4
作者:
宁志华
何乐年
刘磊
马德
机构:
[1] 浙江大学超大规模集成电路研究所
来源:
关键词:
无片外电容;
LDO;
高稳定性;
低功耗;
瞬态响应;
D O I:
暂无
中图分类号:
TM44 [稳定器];
学科分类号:
摘要:
本文研究并设计了输出电压3.3V,最大输出电流为150mA的CMOS无片外电容的低压差线性稳压器(Off-chip capacitor-free Low-dropout Voltage Regulator,LDO)。该LDO采用了NMC(Nested Miller Compensation)频率补偿技术保证了系统的稳定性。另外,采用大电容环路和SRE(Slew Rate Enhancement)电路抑制输出电压的跳变,改善了瞬态响应。电路采用了低功耗设计技术。采用CSMC0.5μm CMOS混合信号工艺模型仿真表明:整个LDO的静态电流仅为3.8μA;最差情况下的相位裕度约为88.5°;在5V工作电压下,当负载电流在1μs内从150mA下降到1mA时,输出电压变化仅为140mV;在负载电流150mA的情况下,当电源电压在5μs内从3.5V跳变至5V时,输出电压变化也仅为140mV。
引用
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