学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
VFTO下SF6间隙及绝缘子沿面预放电电流特性
被引:5
作者
:
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
陈庆国
张乔根
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学!西安
张乔根
邱毓昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学!西安
邱毓昌
王中方
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学!西安
王中方
魏新劳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安交通大学!西安
魏新劳
机构
:
[1]
西安交通大学!西安
[2]
哈尔滨工业大学!哈尔滨
来源
:
高压电器
|
2000年
/ 04期
关键词
:
预放电;
快速暂态过电压;
先导;
流注;
D O I
:
10.13296/j.1001-1609.hva.2000.04.003
中图分类号
:
TM21 [绝缘材料、电介质及其制品];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
080801 ;
摘要
:
对SF6气体间隙及绝缘子沿面的预放电电流进行了测量。测量结果证实 ,正极性VFTO作用下SF6的击穿遵从先导击穿机理 ;而负极性VFTO作用下SF6的击穿一般遵从茎先导机理或流注放电导致直接击穿。气压大小直接影响先导的起始电压及先导的间隔时间。存在绝缘子时 ,先导形成时间间隔及步长变短 ,且在快速振荡冲击电压作用下会出现“逆放电”现象 ,这有利于先导形成 ,从而降低了闪络电压。
引用
收藏
页码:12 / 14+18 +18
页数:4
相关论文
未找到相关数据
未找到相关数据