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薄膜技术.[M].王力衡等著;.清华大学出版社.1991,
埋入SiO2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光
被引：11
作者：
王印月
杨映虎
郭永平
甘润今
何源
薛华
陈光华
机构：
[1] 兰州大学物理系
[2] 北京机械工业学院基础部
来源：
关键词：
室温光致发光;
射线衍射;
喇曼散射;
拉曼散射;
电学性质;
SiO2;
Ge;
埋入;
纳米;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484 [薄膜物理学];
学科分类号：
080501 ;
1406 ;
摘要：
用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃ Ｇｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外 可见光 近红外吸收及电导 温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合
引用
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页数：6
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