新型砷化镓Z元件

被引:2
作者
郑一阳
机构
[1] 中科院半导体所!
关键词
Z效应元件; 砷化镓; S型负阻; 电流振荡波形;
D O I
暂无
中图分类号
TP212 [发送器(变换器)、传感器];
学科分类号
080202 ;
摘要
本文报导了砷化镓材料制作的Z元件,观察到S型负阻及相应的振荡波形,重点解决了S型负阻产生的原因及振荡机理,理论分析与实验相符。
引用
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电子产品世界, 1995, (06) :42-44