ZnO-TiO2复合半导体的制备与光催化性能

被引：24

作者：

程刚 ^{[1
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]}

周孝德 ^{[1
]}

机构：

[1] 西安理工大学水利水电学院

[2] 西安工程大学环境与化学工程学院

来源：

西安理工大学学报 | 2009年 / 25卷 / 01期

关键词：

氧化锌; 氧化钛; 复合半导体; 光催化活性; 活性艳红;

D O I：

10.19322/j.cnki.issn.1006-4710.2009.01.002

中图分类号：

O643.36 [催化剂];

学科分类号：

070305 [高分子化学与物理];

摘要：

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Zn2+的TiO2复合半导体,用X射线衍射和拉曼光谱对其微晶结构进行表征,并掺杂不同金属离子对复合半导体进行调变。以活性艳红K-2BP为模型降解物,在固定催化剂投加量、通气量和pH的条件下,考察了Zn2+与Ce4+、La3+、Fe3+掺杂量对ZnO-TiO2光催化活性的影响。结果表明,Zn2+掺杂使TiO2衍射峰宽化、蓝移且峰强减弱,晶粒径减小。当Zn2+掺杂量为20.0%时,对活性艳红30 min的降解率为97%,表观反应速率常数k值达到了0.133 min-1,为TiO2的1.4倍。La3+、Fe3+、Ce4+掺杂可提高ZT的活性,其中,当La3+掺杂量为0.5%时,k值为ZT的1.4倍。

引用

页码：8 / 12

页数：5

共 7 条

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