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通过纳米硅中量子点的共振隧穿
被引：8
作者：
刘明
王子欧
何宇亮
江兴流
机构：
[1] 北京航空航天大学应用物理系
来源：
关键词：
量子点;
隧道二极管;
江畸二极管;
共振隧穿;
晶粒;
颗粒;
纳米硅;
量子化;
量子论;
D O I：
暂无
中图分类号：
O471 [半导体理论];
学科分类号：
摘要：
用纳米硅（ｎｃ Ｓｉ∶Ｈ）薄膜制成了隧道二极管，并在其Ｉ Ｖ曲线上发现了不连续的量子化台阶．二极管的Ｉ Ｖ曲线可分成二部分：（１）０—７Ｖ，电流随外加电压增大而增大；（２）７—９Ｖ，电流随外加电压急剧增大并出现三个量子化台阶．量子化台阶的出现直接与纳米硅中的晶粒有关，根据ｎｃ Ｓｉ∶Ｈ的独特结构，对载流子的传导通道进行了讨论；用通过ｎｃ Ｓｉ∶Ｈ中量子点的共振隧穿对Ｉ Ｖ曲线进行了初步解释．
引用
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页码：172 / 177
页数：6
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