电化学腐蚀多孔硅表面形貌的结构特性

被引：6

作者：

梁继然

胡明

窦雁巍

机构：

[1] 天津大学电子信息工程学院

来源：

纳米技术与精密工程 | 2006年 / 02期

关键词：

多孔硅; 微电子机械系统; 电化学腐蚀; 孔径;

D O I：

10.13494/j.npe.2006.029

中图分类号：

TN304 [材料];

学科分类号：

0805 ; 080501 ; 080502 ; 080903 ;

摘要：

多孔硅作为微电子机械系统中重要的热绝缘层和牺牲层材料,其表面形貌结构特性是影响多孔硅上薄膜器件性能的重要因素．为此,利用双槽电化学腐蚀方法制备了多孔硅薄膜,并通过原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对制备多孔硅的表面形貌和孔径大小分布进行了观察．结果发现:腐蚀初期,在硅表面会有大量的硅柱形成,硅柱的直径、高度、分布密度与电流密度成正比关系;硅柱在进一步腐蚀过程中会消失,多孔硅的表面粗糙度随着腐蚀的进行,先减小再增大,最后达到稳定值0．52nm;多孔硅孔径大小分布区间随腐蚀时间增加变窄．

引用

页码：162 / 166

页数：5

共 3 条

[1]

应用于微电子机械系统中多孔硅的研究.[A].崔梦;胡明;雷振坤;窦雁威;田斌;.第五届中国功能材料及其应用学术会议.2004,

[2] Structural characteristics of p-type porous silicon and their relation to the nucleation and growth of pores [J].