激光对电荷耦合器件硬破坏机理研究

被引:32
作者
倪晓武,陆建,贺安之
机构
[1] 南京理工大学应用物理系
关键词
激光波长; 半导体材料; 机械作用; 电工材料; 电荷转移器件; 电荷耦合器件; 等离子体冲击波; 击穿阈值; 破坏机理; 激光等离子体;
D O I
暂无
中图分类号
TN15 [光电器件、光电管];
学科分类号
0803 ;
摘要
就激光对组成MOS结构电荷耦合器件材料和整个器件的产生硬破坏的过程进行了理论和实验研究。提出激光的热作用和等离子体冲击波的机械作用是导致电荷耦合器件结构被破坏的主要原因。得到了YAG激光致使组成电荷耦合器件的半导体材料的光学击穿阈值、视见损伤阈值、热熔融阈值和致使整个器件失效的激光功率阈值等有关结果。
引用
收藏
页码:1795 / 1802
页数:8
相关论文
共 4 条
  • [1] 激光与介质薄膜作用过程的等离子体诊断
    倪晓武
    陆建
    贺安之
    马孜
    周九林
    [J]. 光学学报, 1990, (04) : 322 - 327
  • [2] 三维温度场的激光全息与干涉层析
    贺安之
    阎大鹏
    倪晓武
    赖天树
    [J]. 光学学报, 1988, (06) : 543 - 549
  • [3] 薄介质膜击穿全过程的探讨
    陈斗南
    [J]. 物理学报, 1987, (07) : 838 - 846
  • [4] 实用化学手册[M]. 国防工业出版社 , 张向宇 编,