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激光对电荷耦合器件硬破坏机理研究
被引:32
作者
:
倪晓武,陆建,贺安之
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0
机构:
南京理工大学应用物理系
倪晓武,陆建,贺安之
机构
:
[1]
南京理工大学应用物理系
来源
:
物理学报
|
1994年
/ 11期
关键词
:
激光波长;
半导体材料;
机械作用;
电工材料;
电荷转移器件;
电荷耦合器件;
等离子体冲击波;
击穿阈值;
破坏机理;
激光等离子体;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
TN15 [光电器件、光电管];
学科分类号
:
0803 ;
摘要
:
就激光对组成MOS结构电荷耦合器件材料和整个器件的产生硬破坏的过程进行了理论和实验研究。提出激光的热作用和等离子体冲击波的机械作用是导致电荷耦合器件结构被破坏的主要原因。得到了YAG激光致使组成电荷耦合器件的半导体材料的光学击穿阈值、视见损伤阈值、热熔融阈值和致使整个器件失效的激光功率阈值等有关结果。
引用
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页码:1795 / 1802
页数:8
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