1.064μm脉冲激光作用下SiO2薄膜纹波损伤的模拟

被引：4

作者：

袁晓东 ^{[1
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李绪平 ^{[1
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郑万国 ^{[1
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祖小涛 ^{[2
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向霞 ^{[2
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蒋晓东 ^{[1
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尹烨 ^{[2
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徐世珍 ^{[2
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郭袁俊 ^{[2
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田东斌 ^{[2
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王毕艺 ^{[2
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机构：

[1] 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

[2] 电子科技大学物理电子学院

来源：

强激光与粒子束 | 2008年 / 03期

关键词：

激光诱导损伤; SiO2薄膜; 电子束蒸发; 纹波损伤;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN249 [激光的应用];

学科分类号：

摘要：

用1.064μm波长的单脉冲(6 ns)激光对K9玻璃基底上电子束沉积的单层SiO2薄膜进行了辐照损伤实验。以扫描电镜对K9基底的断面进行分析,并采用表面热透镜装置对膜层中的缺陷进行了检测,最后采用Matlab偏微分工具箱对缺陷的散射光光场进行了有限元模拟。实验研究表明:膜层中存在缺陷,基底中也存在大量缺陷。模拟研究表明:缺陷的位置越深,形成的条纹间距也越宽;当缺陷的形状不规则时,在局部出现近似平行的纹波结构;当缺陷的数目增加时,这些缺陷的散射光的叠加就形成相互叠加的条纹。

引用

页码：509 / 512

页数：4

共 5 条

[1] 表面热透镜薄膜吸收测量灵敏度提高方法 [J].