低温与光对黄瓜幼苗子叶光合电子传递活性的影响

被引:11
作者
李美茹
刘鸿先
王以柔
机构
[1] 中国科学院华南植物研究所,中国科学院华南植物研究所,中国科学院华南植物研究所广州,广州,广州
关键词
低温; 光; 黄瓜幼苗; 光合电子传递链; 抑制部位;
D O I
暂无
中图分类号
学科分类号
摘要
25~30℃和30 μmol m-2s-1光下培养的黄瓜幼苗,在黑暗下经 1~7℃处理24h或5℃处理24~72h,光合电子传递活性受不同程度的抑制;其抑制部位主要在PSⅡ氧化侧;随温度的降低和时间的延长,抑制部位可发展至PSⅡ及之后的电子递体上,但尚未影响PSⅠ的活性。160μmol m-2s-1的光强加重低温对电子传递活性的抑制,光强越高,则加重的程度越高;抑制部位从PSⅡ氧化侧发展至PSⅡ反应中心以及PSⅠ。
引用
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