外压调制下ZnO晶体结构与光学性质变化特性的研究

被引：12

作者：

胡智向 ^{[1
]}

吴玉喜 ^{[1
]}

顾书林 ^{[2
]}

李腾 ^{[3
]}

渠立成 ^{[1
]}

机构：

[1] 中国矿业大学理学院物理系

[2] 南京大学物理学系固体微结构国家重点实验室

[3] 徐州空军学院航空弹药系

来源：

量子电子学报 | 2010年 / 27卷 / 05期

基金：

国家自然科学基金重点项目;

关键词：

材料; 氧化锌; 第一性原理; 光学性质; 调制;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN304.2 [化合物半导体];

学科分类号：

080906 [电磁信息功能材料与结构];

摘要：

为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究。计算结果表明:随着压力的增大,晶体的晶格常数、晶胞体积缓慢变小,内坐标u值逐渐增大,Zn-O键长缩短,共价性增强,带隙Eg明显展宽。光学特性谱显示不同外压对低能段光学性质的影响并不明显,而在高能段,随着压力的增大光学性质发生明显的蓝移。

引用

页码：613 / 619

页数：7