高半胱氨酸SAM膜电极的制备及其电化学行为研究

被引：5

作者：

王慧云

郁章玉

孙勤枢

王宁

齐丽云

机构：

[1] 曲阜师范大学化学系

[2] 济宁医学院化学教研室

来源：

曲阜师范大学学报(自然科学版) | 2003年 / 01期

关键词：

高半胱氨酸; SAM; [Fe(CN)6]3-/4-; 循环伏安; 交流阻抗;

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

研究了高半胱氨酸在金电极上形成单分子自组装膜的条件 ,并利用循环伏安法 ,交流阻抗谱研究了 [Fe(CN) 6]3-/4 -在高半胱氨酸SAM膜电极上于不同 pH值溶液中的电化学行为 .循环伏安结果表明 ,在pH大于高半胱氨酸等电点的溶液中 ,[Fe(CN) 6]3-/4 -在膜电极上的循环伏安曲线峰电流明显降低 ,峰分离差增大 ,说明随 pH值的增加 ,[Fe(CN) 6]3 -/4 -离子对在SAM膜电极上的可逆性变差 ;交流阻抗图谱显示 ,由于SAM膜电极表面带负电荷时 ,[Fe(CN) 6]3 -/4 -难以靠近电极表面 ,使其与电极表面的电子交换反应变得困难 ,在SAM膜电极上的电化学反应电阻Rct明显增加 ,并且随电解质溶液的 pH增加而增加 .

引用

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