共 2 条
[1]
半导体材料.[M].周永溶编;.北京理工大学出版社.1992,
[2]
表面分析技术.[M].陆家和;陈长彦等 编著.电子工业出版社.1987,
分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究
被引：12
作者：
苑进社
陈光德
齐鸣
李爱珍
徐卓
机构：
[1] 西安交通大学应用物理系,西安交通大学应用物理系,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,西安交通大学电子材料研究所西安,西安理工大学应用物理系,西安,西安,上海,上海,西安
来源：
关键词：
GaN薄膜;
X射线光电子能谱;
俄歇电子能谱;
表面分析;
D O I：
暂无
中图分类号：
O484.4 [薄膜的性质];
学科分类号：
070204 [等离子体物理];
摘要：
用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延 (MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析 .发现红外分子束外延 (RF MBE)生长的富镓GaN薄膜实际表面存在O和C吸附层 ,C主要为物理吸附 ,而O在GaN表面形成局域化学键产生氧络合物覆盖层 ,并形成一定的深度分布 .杂质O在GaN带隙中导带底形成杂质带同时引入深受主能级 ,使得带隙变窄室温光吸收谱向低能方向移动 ,光致发光谱出现宽带发光峰 .从而影响GaN薄膜的电学和光学性质
引用
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页码：2429 / 2433
页数：5
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