高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术

被引：9

作者：

唐淳

武德勇

严地勇

杨森林

邵英斌

杨成龙

机构：

[1] 中物院应用电子学研究所!绵阳-信箱

[2] 浙江大学光电信息工程学系光电子技术所

[3] 中物院应用电子学研究所!

来源：

强激光与粒子束 | 2000年 / 05期

关键词：

线阵二极管激光器; 高占空比; 封装;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN24 [激光技术、微波激射技术];

学科分类号：

0803 ; 080401 ; 080901 ;

摘要：

对高占空比、高功率线阵二极管激光器的封装技术进行了研究 ,给出了封装器件性能测试结果 :在占空比 2 0 % ( 2 0 0μs,1 0 0 0 Hz)时获得峰值功率大于 4 0 W的激光输出 ,1 0 0～ 1 0 0 0 Hz重复频率下 ,输出激光中心波长为 80 5～ 80 8nm,谱线宽度 3 .2～ 4 .2 nm,激光起伏小于 1 %。

引用

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