共 1 条
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InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响
被引：2
作者：
李宏伟
王太宏
机构：
[1] 中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所北京,北京
来源：
关键词：
自组装量子点;
肖特基势垒;
电流-电压特性;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN31 [半导体二极管];
学科分类号：
070208 [无线电物理];
摘要：
在 77到 2 92K的范围内 ,系统研究了含InAs自组装量子点的金属 半导体 金属双肖特基势垒二极管的输运特性 .随着温度上升 ,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小 .在测试温度范围内 ,通过量子点的共振隧穿过程在电流 电压 (I V)曲线中造成台阶结构 ,且使电流回路随温度的上升急剧减小 .根据肖特基势垒的反向I V曲线 ,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子 .发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况 ,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度 ,从而影响了势垒的反向饱和电流密度
引用
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页码：2501 / 2505
页数：5
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