掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光

被引：3

作者：

雷红兵

杨沁清

朱家廉

王红杰

高俊华

王启明

机构：

[1] 集成光电子国家开放实验室

来源：

半导体学报 | 1999年 / 01期

关键词：

光致发光; 富硅氧化硅; 掺铒;

D O I：

暂无

中图分类号：

O472.3,O472.3 [];

学科分类号：

摘要：

本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的波长１．５４μｍ光致发光．发光强度随温度升高而下降，其温度猝灭激活能为１４．３ｍｅＶ．发光谱表明富硅氧化硅中Ｅｒ－Ｏ发光中心仍具有Ｔｄ对称性．

引用

页码：68 / 72

页数：5

共 8 条

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