薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系

被引：4

作者：

夏永伟

王守武

机构：

[1] 中国科学院半导体研究所

[2] 中国科学院半导体研究所北京

来源：

关键词：

半导体器件和材料; MOS结构; 场效应晶体管; 器件设计;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

本文从理论上分析了薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系。为设计薄膜MOS/SOI器件引进了一个新的参数──薄膜整体反型临界厚度。分析认为,为使超薄膜MOS/SOI器件高速和高功率工作,有必要使薄膜厚度接近整体强反型临界厚度。

引用

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