D4等离子体聚合物复合膜的制备、形成过程及其氧氮分离性

被引:6
作者
后晓淮
张世民
孙求实
傅常俊
机构
[1] 中国科学院化学研究所
[2] 中国科学院化学研究所 北京
[3] 北京
关键词
八甲基环四硅氧烷(D4); 等离子体聚合物; 复合膜; 氧氮分离性;
D O I
暂无
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摘要
<正> 将高分子膜用于气体分离已越来越受到人们的重视.在特定条件下,用等离子体聚合可形成高分子超薄膜,它有高度交联结构,表面平整、致密、无针孔.因此,将它用于气体分离是有希望的.本工作用八甲基环四硅氧烷(简称D4)作单体,进行等离子体聚合,沉积在聚丙烯多孔底膜上,得到D4等离子体聚合物复合膜.研究表明,该膜有较好的气体透过性能,其氧气透过速率Jo2为0.5—2×10-5cm3(STP)/cm2·sec·cmHg,氧氮分离系数。αo/N为3.3—3.8,远远高于用经典方法制得的聚有机硅氧烷膜的αo/N2.0.
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共 1 条
[1]   高分子富氧膜的进展 [J].
徐纪平 .
应用化学, 1984, (04) :1-9