金属衬底上石墨烯生长机理研究进展

被引：4

作者：

马秀芳

孙科举

李微雪

机构：

[1] 中国科学院大连化学物理研究所,催化基础国家重点实验室

来源：

科学通报 | 2012年 / 57卷 / 12期

关键词：

石墨烯; 生长; 碳氢化合物活化; 成核; 过渡金属表面;

D O I：

暂无

中图分类号：

O613.71 [碳C];

学科分类号：

070301 ; 081704 ;

摘要：

石墨烯作为一种新型的二维碳材料,在高性能纳米电子器件、复合材料、场发射材料、气体传感器及能量存储等领域具有非常重要的应用前景.然而,大规模可控合成高质量的石墨烯仍然面临巨大的挑战,其中比较有效的方法之一是在金属衬底上生长石墨烯.本文总结了近年来在金属衬底上生长石墨烯的机理研究方面取得的重要进展,从初始阶段、成核阶段、长大过程3个方面进行了介绍,最后还介绍了氢气在石墨烯生长过程中所起的重要作用,以期对石墨烯生长机理的深入研究及大规模可控制备提供帮助.

引用

页码：987 / 994

页数：8

共 5 条

[1]

Growth of graphene on Ir(111)[J] . Johann Coraux,Alpha T N’Diaye,Martin Engler,Carsten Busse,Dirk Wall,Niemma Buckanie,Frank-J Meyer zu Heringdorf,Raoul van Gastel,Bene Poelsema,Thomas Michely. New Journal of Physics . 2009 (3)

[2]

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[3]

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[5]

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