单晶In2O3及In2O3掺杂Sn的光电性能的研究

被引：6

作者：

文世杰

CampetG.

PortierJ.

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所

[2] Laboratoire de chimie du solide du CNRS I'Universite de Bordeaux I Talence

[3] France

来源：

无机材料学报 | 1993年 / 02期

关键词：

In2O3; ITO; 电阻率; 载流子浓度; 迁移率;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

用融熔法研制了 In2O3和 ITO（In2O3掺杂 Sn）单晶,并对其光电性能进行研究.纯 ITO 是一种简并半导体,在常温下,以晶格声子散射为主要的载流子传输机理.对 ITO 单晶,给出了载流子浓度与 Sn 掺杂浓度及载流子迁移率的关系.并对在单晶中由于用助溶剂而引入的 Pb 掺杂对材料电性能的影响作了探讨.从材料的吸收光谱图中的本征吸收限的变化及 Plasma 频率和坡度的变化,证实了我们对电性能测试的结果.EXAFS 结构测试结果给出了这二种材料导电率变化的因素.

引用

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