用SU-8胶制高深宽比微结构的试验研究

被引:8
作者
刘景全
朱军
丁桂甫
赵小林
蔡炳初
机构
[1] 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室
[2]
关键词
SU-8胶; 高深宽比; UV-LIGA; 微机电系统;
D O I
暂无
中图分类号
TN305.7 [光刻、掩膜];
学科分类号
1401 ;
摘要
SU 8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶 ,它适于超厚、高深宽比的MEMS微结构制造。但SU 8胶对工艺参数很敏感。采用正交试验设计方法对其工艺进行分析。采用三个因素进行试验 ,对试验进行了分析。以 2 0 0 μm厚的SU 8为例进行试验研究 ,得到的光刻胶图形侧壁陡直 ,分辨率高 ,与基底附着性强 ,深宽比大于 2 0。
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页码:27 / 29+44 +44
页数:4
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