纳米二硫化钼制备现状与发展趋势

被引：32

作者：

胡坤宏

沃恒洲

韩效钊

胡献国

机构：

[1] 合肥工业大学摩擦学研究所

[2] 合肥工业大学化学工程学院

[3] 合肥工业大学化学工程学院安徽合肥

[4] 安徽合肥

来源：

现代化工 | 2003年 / 08期

基金：

安徽省自然科学基金;

关键词：

纳米二硫化钼; 重堆积法; 纳米插层化合物; 化学法; 纳米材料;

D O I：

10.16606/j.cnki.issn0253-4320.2003.08.004

中图分类号：

TQ136.12 [];

学科分类号：

0817 ;

摘要：

从还原法、分解法、氧化法、电化学法等方面入手 ,评述了化学法制备纳米二硫化钼的现状。介绍了用单层MoS2 重堆积制备纳米插层化合物 (夹层化合物 )的方法 ,包括制备的机理、客体物质的种类及MoS2 插层化合物的性能与应用等。简要介绍了二硫化钼的结构、性质与功能以及制备纳米MoS2 的物理方法。最后对各种制备方法的优缺点进行了分析与对比 ,并展望了纳米MoS2 的制备技术与方法的发展前景 ,强调纳米MoS2 的制备应是多种方法相结合 ,朝着制备纳米复合型材料的方向发展的观点

引用

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