SOSA模型下高剥离态的自电离系数

被引：2

作者：

焦荣珍

程新路

李小红

杨向东

机构：

[1] 四川大学原子分子物理所!四川成都,四川大学原子分子物理所!四川成都,四川大学原子分子物理所!四川成都,四川大学原子分子物理所!四川成都

来源：

四川大学学报(工程科学版) | 2001年 / 05期

关键词：

自电离系数; 自旋轨道劈裂阵(SOSA); slater积分Rk;

D O I：

10.15961/j.jsuese.2001.05.030

中图分类号：

O562.4 [原子间的作用、激发与电离];

学科分类号：

070203 ; 1406 ;

摘要：

在SOSA模型下 ,计算得出Ni-like、Cu -like、Zn -like (Xe、Gd、Dy、Au)的 3d-nf(n =4,5 ,6 )的自电离系数Aa,结果表明 ,由于旁观电子对slater积分Rk 的影响 ,使自电离系数呈规律性变化 ,同时对Ta4 5+ 的自电离系数与采用相对论参数势方法得出的自电离系数作了比较 ,结果比较一致

引用

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