晶体生长的边界层效应—兼论光学实时观察法晶体生长技术

被引：7

作者：

金蔚青

潘志雷

程宁

袁晖

机构：

[1] 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海

[2] 不详

来源：

无机材料学报 | 1997年 / 03期

关键词：

边界层效应; 熔体晶体生长; 光学实时观察法; 特征扩散长度; 界面胞状结构;

D O I：

暂无

中图分类号：

O78 [晶体生长];

学科分类号：

摘要：

晶体生长边界层模型起源于流体动力学边界层模型，但两者又不完全相同．晶体生长边界层模型有两方面的含义：（1）在固-液界面处的、垂直于界面的、由杂质和组份构成的质量流决定晶体生长速度；（2）在界面附加溶液一侧的质量浓度流，其浓度分布是决定界面稳定性的基本参数．特征扩散长度是表征垂直于界面的质量流的一个重要参数．对熔体晶体生长而言，理论估计此值在0．04～0．4cm之间．光学实时观察法晶体生长技术是一种研究晶体生长过程的新颖方法．它能有效地区分扩散-平流和扩散-对流两种不同的生长状态，其实验测得的KNbO3熔体生长的特征扩散长度值为0．01～0．1cm之间．应用此方法实时观察到胞状结构的形成和发展，也证实了界面附近的质量浓度流是决定界面稳定性的一个重要参数．

引用

页码：279 / 285

页数：7

共 9 条

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