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构造高可靠性盘阵列结构的研究
被引：1
作者：
冯丹
张江陵
机构：
[1] 华中理工大学计算机系
来源：
关键词：
磁盘阵列，EVENODD码，正交结构，Crosshatch结构;
D O I：
暂无
中图分类号：
TP333.3 [磁存贮器及其驱动器];
学科分类号：
081201 ;
摘要：
本文比较分析了纠单错阵列与纠双错盘阵列的可靠性；指出若只考虑盘一级可靠性，纠双错阵列平均无故障时间（ＭＴＴＦ）是纠单错阵列的几千倍；介绍了一种新型的适用于阵列的纠双错编码——ＥＶＥＮＯＤＤ码，以及两种考虑阵列支撑硬件容错能力的阵列结构：正交结构和Ｃｒｏｓｓｈａｔｃｈ结构；指明将纠双错编码应用于正交结构或Ｃｒｏｓｓｈａｔｃｈ结构的盘阵列中，可大大提高阵列可靠性，并提出了一种应用现有单端口盘构造Ｃｒｏｓｓｈａｔｃｈ结构的方案
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