化学沉积法制备Pt/n-GaAs肖特基结

被引：1

作者：

张遴绍

夏永姚

机构：

[1] 吉林大学化学系

[2] 吉林大学化学系长春

[3] 长春

来源：

关键词：

肖特基结; 化学镀; 化学沉积; Pt/n-GaAs; GaAs;

D O I：

10.13290/j.cnki.bdtjs.1992.01.004

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文报导了一种化学镀铂液在n型(ND=1016)单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。

引用

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