集成电路抗ESD设计中的TLP测试技术

被引：13

作者：

罗宏伟

师谦

机构：

[1] 西安电子科技大学微电子研究所

[2] 信息产业部电子第五研究所陕西西安信息产业部电子第五研究所

[3] 广东广州

来源：

电子产品可靠性与环境试验 | 2003年 / 04期

关键词：

静电放电; 传输线脉冲; 测试技术; 人体模型;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN407 [测试和检验];

学科分类号：

080903 ; 1401 ;

摘要：

介绍了一种研究器件和电路结构在ESD期间新的特性测试方法——TLP法,该方法不仅可替代HBM测试,还能帮助电路设计师详细地分析器件和结构在ESD过程中的运行机制,有目的地进行器件ESD保护

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共 1 条

[1]

Reproducibility of Transmission Line Measurement of Bipolar Ⅰ-Ⅴ Characteristics of MOSFET’s. Chen T P,Chan R. IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement . 1999