宽带单刀多掷PIN开关的设计

被引：15

作者：

端木义清

机构：

[1] 中电科技集团公司第研究所

来源：

雷达与对抗 | 2005年 / 04期

关键词：

微波PIN开关; 单刀多掷开关; 仿真;

D O I：

10.19341/j.cnki.issn.1009-0401.2005.04.015

中图分类号：

TN61 [微波元件、微波铁氧体元件];

学科分类号：

摘要：

介绍了微波PIN开关的电磁结构模型的建立及计算机仿真,讨论了宽带单刀多掷开关的设计要点。采用该方法成功设计了1～18GHz吸收式单刀五掷开关,其插损≤3.5dB,驻波≤2.2,隔离度≥60dB。

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[1]

The Frequency DependentImpedance PIN D iodes. Caverly R,H iller G. IEEE Trans.on M i-crowave Theory and Tech . 1989