硅烷偶联剂/二氧化硅界面层的表征研究

被引：5

作者：

华仲强

林永渭

吴叙勤

张元民

机构：

[1] 华东化工学院高分子材料系

来源：

复合材料学报 | 1988年 / 03期

关键词：

硅烷偶联剂; 椭偏仪; Si; 界面层厚度; 表征; 膜厚; MPS;

D O I：

10.13801/j.cnki.fhclxb.1988.03.006

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

本文为研究γ-MPS/SiO2界面层厚度与形态,使用自编程序,通过计算机数值模拟和图形分析后确定:当SiO2膜厚为1250～1450A,激光源入射角为65～75°的最佳椭偏仪测定条件时,灵敏度可提高至1A,从而能在国产椭偏仪上对10A左右的界面超薄层膜具有足够的测试灵敏度。实验中应用的SiO2/Si平片是一种新的适宜于作界面研究的玻纤模型。由此模型凭借椭偏仪和扫描电镜,可获得经γ-MPS水溶液处理再经溶剂淋洗后形成的γ-MPS/SiO2界面层的重要信息:界面层结构是1～2个单分子层;形态为连续的膜层,偶尔可见被淋洗去的γ-MPS水解介聚物残留的边缘隆起的椭圆形凹坑。

引用

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页数：10