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共价化合物的热力学性质与结构的关系ⅢSiHmXn的气相标准生成焓
被引：6
作者：
李良超
罗明道
屈松生
颜肖慈
张国鼎
机构：
[1] 荆州教育学院
[2] 武汉大学化学系
[3] 西北大学化学系 荆州市
[4] 武昌珞珈山
[5] 西安太白路号
来源：
关键词：
标准生成焓;
卤代硅甲烷;
键焓;
价电子互斥;
共轭效应;
配位效应;
D O I：
暂无
中图分类号：
O613.72 [硅Si];
学科分类号：
070301 ;
081704 ;
摘要：
提出了一个估算SiHmXn的气相标准生成焓[Δ_fHm?（SiHmXn,g）]的经验公式,它表明了Δ_fHm?（SiHmXn,g）与Si—H键和Si—X键的键焓及键数（m,n）有关。当（m+n）<4时。中心原子（Si）与相邻原子（X）之间的共轭效应和配位效应对Δ_fHm?（SiHmXn,g）也有较大的影响。
引用
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页数：6
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