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AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
被引：21
作者：
孔月婵
郑有炓
储荣明
顾书林
机构：
[1] 南京大学物理系
[2] 南京大学物理系 南京
[3] 南京
来源：
关键词：
AlxGa1-xNGaN异质结构;
二维电子气;
自发极化;
压电极化;
D O I：
暂无
中图分类号：
O472.2 [];
学科分类号：
070205 ;
080501 ;
0809 ;
080903 ;
摘要：
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程 ,研究了Al组分对AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气性质的影响 ,给出了AlxGa1 -xN GaN异质结构二维电子气分布和面密度 ,导带能带偏移以及子带中电子分布随AlxGa1 -xN势垒层中Al组分的变化关系 ,并用AlxGa1 -xN GaN异质结构自发极化与压电极化机理和能带偏移对结果进行讨论分析 .
引用
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页码：1756 / 1760
页数：5
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