RFIC芯片的测试与设计验证

被引:1
作者
范海鹃
王志功
周建冲
李智群
机构
[1] 东南大学射频与光电集成电路研究所
关键词
芯片测试; 键合; RFIC; 设计验证;
D O I
暂无
中图分类号
TN492 [专用集成电路];
学科分类号
080903 ; 1401 ;
摘要
射频芯片(RFIC)的性能极易受到键合线、外围元件与电路等片外因素的影响,通常一款商用射频芯片的设计需要经过从初始芯片设计、芯片测试验证、修正芯片设计的多轮反复过程。因此射频芯片在设计时就需要对IC电路、键合和片外元件电路进行综合考虑。根据这一特点,结合相关芯片的实践经验,讨论射频芯片测试与验证的一般方法和经验技巧,对RFIC的设计具有实用价值。
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共 1 条
[1]  
SiliconGermanium BiCMOS HBT Technology for Wireless PowerAmplifier Applications. Jeffrey B Johnson,,Alvin J Joseph,David C Sheridan. IEEE Journal of Solid StateCircuits . 2004